王霖
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田林海
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尉国栋
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高凤梅
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郑金桔
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杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
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epitaxial growth
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devices
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progress
,
review
程艳玲
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索红莉
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刘敏
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马麟
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张腾
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00481
采用硝酸盐为前驱盐制备涂层导体结构中的La2Zr2O7(LZO)过渡层. 实验通过对前驱盐粉体热分解行为的分析, 以及前驱盐溶液在铝酸镧(LAO)单晶和Ni5W合金基底上外延生长LZO膜层工艺的比较研究, 经优化获得了采用硝酸盐为前驱盐, 适用于Ni5W合金基底的低温两步热处理结合高温快速热处理制备LZO的工艺路线. 研究发现, 硝酸盐热分解过程及中间产物分解对外延织构的生成起着重要的作用. 取向分析显示LZO膜层(222)phi扫描和(400)ω扫描的半高宽分别为8.5°和8.1°, 这表明LZO膜层形成了较好的立方织构. SEM分析显示该工艺制备的膜层均匀致密, 没有裂纹和孔洞. 以上研究表明硝酸盐法可以应用于LZO过渡层的制备.
关键词:
硝酸盐
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epitaxy
,
LaB2BZrB2BOB7B
,
Ni5W substrate
,
cube texture
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coated conductor
李享成
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杨光
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戴能利
,
陈爱平
,
龙华
,
姚凯伦
,
陆培祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00897
采用脉冲激光沉积法, 在(100)SrTiO3基底上, 制备了(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4) 0.2(LBFO-NFO)多铁薄膜, 通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构, 通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能. 研究发现: 多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长, 晶粒尺寸在100～150nm之间; 薄膜具有明显的电滞回线(Ps=7.6μC/cm2)和磁滞回线(Ms=4.12×104A/m), 显示出明显的铁电铁磁共存特性. 通过对薄膜生长条件的控制, 可削除杂质相, 减小LBFO-NFO薄膜的漏电流, 提高铁电及铁磁性能.
关键词:
多铁薄膜
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epitaxial growth
,
pulse laser deposition
,
leakage current
孔明
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岳建岭
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李戈扬
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01292
通过对TiN/SiC、TiN/TiB2和TiN/SiO2纳米多层膜微结构和力学性能的研究, 展示了通常溅射沉积态为非晶的SiC、TiB2和SiO2薄膜, 在立方结构的TiN晶体层模板作用下的晶化现象, 以及多层膜由此产生的生长结构和力学性能的变化. 结果表明: SiC在层厚0.6nm时晶化为立方结构后,可以反过来促进TiN/SiC多层膜中TiN层的晶体完整性; TiB2在层厚2.9nm时晶化为六方结构, 并与TiN形成{111} TiN//{0001} TiB2, <100> TiN//<11-20> TiB2 的共格关系; SiO2在层厚0.9nm 时晶化为立方结构的赝晶. 多层膜中SiC、TiB2和SiO2晶化后都与TiN形成共格外延的生长结构, 并相应产生了硬度升高的超硬效应. 随着SiC、TiB2和SiO2层厚的增加, 它们又转变为非晶态, 多层膜的共格外延生长受到破坏, 其硬度亦明显降低.
关键词:
纳米多层膜
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epitaxial growth
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crystallization of amorphous
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superhardness effect
李金隆
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李言荣
,
张鹰
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邓新武
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刘兴钊
无机材料学报
利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
关键词:
BST
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ferroelectric thin films
,
low temperature
,
epitaxial growth
